武汉匡旭电子科技有限公司

        新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了z佳权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备优秀的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）广泛应用于各个领域。

N沟道1200-1350V系列IGBT产品封装范围包括TO-264、TO-3P、TO-247等。

NCE25TD120BT IGBT功率模块技术参数如下：



功率模块（Power Module）

以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，新洁能推出全新的IGBT功率集成模块（PIM）系列产品。该系列产品包括650V、750V、1200V和1700V系列产品，并搭载了不同系列的IGBT芯片，以保证产品工作效率z优；同时，可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。

更多新洁能，超结-IGBT-沟槽型功率MOSFET-超结功率MOSFET-屏蔽栅功率MOSFET及其它产品，欢迎来电垂询。